KL4N29~33
首页 光电耦合器 达林顿光耦 KL4N29~33

KL4N29~33

DIP6 达林顿光耦

  • KL4NXX系列器件由一个红外发射二极管和一个光电达林顿探测器组成

  • 它们采用6引脚DIP封装,并提供宽引线间距和SMD选项

产品特点

产品特点  高隔离电压 Viso5000Vrms,爬电距离7.62mm  工作温度可达110,紧凑型小外形封装  符合 REACH 与 RoHS 标准 功能图
  • · 高隔离电压 Viso=5000Vrms,爬电距离>7.62mm

  • · 工作温度可达+110℃,紧凑型小外形封装

  • · 符合 REACH 与 RoHS 标准

功能图

62mm  工作温度可达110,紧凑型小外形封装  符合 REACH 与 RoHS 标准 功能图

参数规格

产品型号

封装形式

产品等级

产品尺寸 L×W×H (mm)

正向电压 VF (V)

C-E极崩溃电压 VCE (V)

E-C极崩溃电压 VEC (V)

C-E极饱和电压 VCES (V)

正向电流 绝对最大额定 IF(mA)

电流传输比 CTR (%)

上升时间 tr (µs)

下降时间 tf (µs)

上升响应时间 ton (µs)

下升响应时间 toff (µs)

工作温度 Topr Min(℃)

工作温度 Topr Max(℃)

隔离电压 VISO (Vrms)

KL4N29~33

DIP6/SMD6

工业级

7.12×6.50×3.50

1.2

55

7

1.2

60

≥50

5

100

-55

110

5000

KL4N32

DIP6/SMD6

工业级

7.12×6.50×3.50

1.2

55

7

1

60

≥500

5

100

-55

110

5000

KL4N33

DIP6/SMD6

工业级

7.12×6.50×3.50

1.2

55

7

1

60

≥500

5

100

-55

110

5000

KL4N29

DIP6/SMD6

工业级

7.12×6.50×3.50

1.2

55

7

1

60

≥100

5

40

-55

110

5000

KL4N30

DIP6/SMD6

工业级

7.12×6.50×3.50

1.2

55

7

1

60

≥100

5

40

-55

110

5000

KL4N31

DIP6/SMD6

工业级

7.12×6.50×3.50

1.2

55

7

1.2

60

≥50

5

40

-55

110

5000

产品应用

  • 产品应用 低功率逻辑电路 电信设备

    低功率逻辑电路

  • 低功率逻辑电路 电信设备

    电信设备

  • 电信设备 便携式电子产品

    便携式电子产品

  • 便携式电子产品 跨电位跨阻抗的电路信号传输

    跨电位/跨阻抗的电路信号传输

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